電流輔佐分散銜接/氣脹成形功能研討：鈷基高溫合金GH5188相比于鎳基高溫合金具有較高的初熔溫度、更好的抗腐蝕抗氧化性、更好的持久性、優(yōu)秀的抗冷熱疲憊功能與焊接功能，在航空航天領域具有寬廣的使用發(fā)展前景。電流輔佐成形技能是一種使用大電流流經(jīng)金屬導體時產(chǎn)生焦耳熱從而使金屬坯料溫度在較短時刻內(nèi)升高至成形所需溫度的快速高效的熱成形技能，本文將電流輔佐成形技能使用到GH5188高溫合金板材的分散銜接與氣脹成形工藝當中，深入探討了GH5188高溫合金板材在電流輔佐分散銜接與氣脹成形進程中的工藝特色。首要對GH5188高溫合金的電流加熱行為展開了研討，對GH5188加熱進程進行了理論剖析并建立了有限元模型，最后進行了GH5188電流加熱試驗。經(jīng)過有限元模仿剖析了GH5188雙層板電流加熱后的溫度散布和電流密度散布，由雙層板中線溫度散布曲線得知GH5188電流加熱后板材中心存在均溫區(qū)。經(jīng)過GH5188電流加熱試驗，發(fā)現(xiàn)GH5188溫度達到平衡后負極溫度比正極溫度高，存在極性效應。經(jīng)過改動電源電流大小得到了不同電流密度的升溫曲線并剖析了其特色。為了探索電流輔佐成形技能使用在GH5188高溫合金板材分散銜接的可行性，自主規(guī)劃了全新的電流輔佐分散銜接設備。對GH5188電流輔佐分散銜接進程進行了有限元剖析，經(jīng)過改動電流加載方式改進了電流輔佐分散銜接進程中升溫速率過慢的狀況，探討了空洞對電流及溫度場的影響。經(jīng)過試驗測驗了GH5188合金板材在不同電流密度下電流輔佐分散的平衡溫度，并進行了GH5188電流輔佐分散銜接試驗。對焊縫處進行線掃描剖析了各元素散布狀況，經(jīng)過元素散布特色推斷出焊縫處分出的物質(zhì)大部分為M6C。最后對試件進行了剪切強度測驗，當電流密度10A/mm2,分散銜接壓力12MPa,保溫時刻45min時的剪切強度為615MPa。最后探究了GH5188高溫合金板材電流輔佐氣脹成形試件的功能，規(guī)劃了一套電流輔佐自在脹形模具，并對GH5188電流輔佐自在脹形進行了有限元剖析。模仿成果顯示跟著高徑比變大，脹形件頂端溫度逐步降低。在模仿中還發(fā)現(xiàn)了電流輔佐自在脹形進程中電流流線存在繞流現(xiàn)象。規(guī)劃了一套板材電流輔佐分散銜接/氣脹成形裝置，可以為GH5188雙層結(jié)構(gòu)零部件的制備提供一種加工思路。

均勻化工藝對188合金安排及力學功能的影響：使用JMatPro軟件、金相顯微鏡、掃描電鏡、能譜剖析以及高溫拉伸、高溫緊縮試驗等辦法，剖析GH5188合金鑄錠的溶質(zhì)元素偏析規(guī)則、均勻化熱處理進程的微觀安排演化規(guī)則及均勻化進程對GH5188合金力學功能的影響。研討標明，GH5188合金的首要分出相為M6C和M23C6,合金中的首要正偏析元素為W和Cr,負偏析元素為Ni和Co。采取1200℃×72 h的均勻化工藝，可以有效消除原始鑄態(tài)塊狀分出相，消除W、Cr、Ni、Co等元素偏析，達到最合適的均勻作用。均勻化熱處理后，GH5188合金的力學功能得到了提升，在1180℃拉伸、緊縮條件下，抗拉強度達到158 MPa,變形抗力為244.29 MPa。

超聲滾壓對高速激光熔覆188高溫合金涂層安排和力學功能的影響：為了進步GH5188高速激光熔覆涂層的摩擦磨損功能和耐腐蝕功能，選用超聲滾壓（UR）技能在GH5188涂層外表制備納米晶層。辦法 使用掃描電子顯微鏡（SEM）、X射線衍射儀（XRD）、能譜剖析儀（EDS）、維氏硬度計、高溫摩擦磨損試驗機和電化學工作站研討超聲滾壓作用下GH5188涂層的微觀形貌、相組成、顯微硬度、高溫摩擦磨損功能和耐腐蝕功能。成果 超聲滾壓后，GH5188涂層外表達到鏡面作用，與未滾壓相比，粗糙度下降58%；制備出厚度為18μm的納米晶層；與H13基體相比，未滾壓的涂層外表顯微硬度進步21%，超聲滾壓后的涂層外表顯微硬度進步70%；與H13基體相比，未滾壓的涂層耐磨性進步69%，超聲滾壓后的涂層耐磨性進步81%；電化學測驗成果標明，與H13基體相比，未滾壓的涂層耐腐蝕性進步12%，超聲滾壓后的涂層耐腐蝕性進步17%。結(jié)論 超聲滾壓后的涂層表層安排位錯密度和晶界添加，獲得了納米晶層，有效改進了GH5188涂層的顯微硬度、耐磨性和耐腐蝕性等力學功能。

188高溫合金熱變形安排傳遞規(guī)則研討：選用Gleeble-3800熱模仿試驗機研討了GH5188高溫合金多道次變形和保溫進程中的安排傳遞規(guī)則，建立了變形速率0.01～10 s-1，變形量50%，變形溫度980～1 230℃下的熱加工圖，探討了單道次變形后保溫時刻對雙道次變形安排、雙道次變形后保溫時刻和保溫溫度對安排遺傳性以及雙道次降溫變形和保溫時刻對顯微安排的影響。成果標明：熱加工圖中高功率耗散率區(qū)的邊界條件分別為1 050～1 175℃、0.01～0.1 s-1和1 200～1 225℃、0.01～1 s-1，低功率耗散率區(qū)的邊界條件分別為975～1 150℃、0.01～10 s-1和1 150～1 225℃、0.1～10 s-1；第一道次變形后保溫時刻過長不利于第二道次動態(tài)再結(jié)晶的產(chǎn)生；雙道次變形后保溫時，產(chǎn)生了顯著的再結(jié)晶現(xiàn)象，跟著保溫時刻的添加，晶粒未產(chǎn)生顯著的長大；跟著第二道次變形溫度的降低，試樣再結(jié)晶比例降低，保溫溫度越低，越不容易產(chǎn)生靜態(tài)再結(jié)晶。